BUK6D210-60EX NEXPERIA

Symbol Micros: TBUK6d210-60ex
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Gehäuse: DFN6
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Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 BUK6D210-60EX BUK6D210-60EX
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 5,7A
Maximaler Leistungsverlust: 15W
Gehäuse: DFN06
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 5,7A
Maximaler Leistungsverlust: 15W
Gehäuse: DFN06
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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