BUK7M27-80EX

Symbol Micros: TBUK7m27-80ex
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 20V; 68mOhm; 30A; 62W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 68mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 62W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 80V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK7M27-80EX RoHS Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210) Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8861 1,4883 1,2870 1,2051 1,1794
Standard-Verpackung:
4
Widerstand im offenen Kanal: 68mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 62W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD