BUK7M3R3-40H

Symbol Micros: TBUK7m3r3-40h
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 7,2 mOhm; 80A; 101W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK7M3R3-40HX;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,2mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 101W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK7M3R3-40HX RoHS Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210) Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1911 0,9103 0,7535 0,6599 0,6271
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 7,2mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 101W
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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