BUK7S0R5-40HJ Nexperia USA Inc.

Symbol Micros: TBUK7S0R5-40HJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
BUK7S0R5-40H/SOT1235/LFPAK88 transistors - fets, mosfets - single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 0,55mOhm
Max. Drainstrom: 500A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: LFPAK88
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 0,55mOhm
Max. Drainstrom: 500A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: LFPAK88
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD