BUK7V4R2-40HX
Symbol Micros:
TBUK7V4R2-40HX
Gehäuse: LFPAK56D
Dualer N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,2 mOhm; 98A; 85W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 98A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 85W |
| Gehäuse: | LFPAK56D |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 98A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 85W |
| Gehäuse: | LFPAK56D |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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