BUK98150-55A/CUF   NEXPERIA

Symbol Micros: TBUK98150-55a/cuf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Transistor N-Kanal MOSFET; 55V; 15V; 161mOhm; 5,5A; 8W; -55°C ~ 150°C; BUK98150-55A/CUF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 161mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 15V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 161mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD