BUK9M15-60EX
Symbol Micros:
TBUK9m15-60ex
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 10V; 34 mOhm; 47A; 75W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 34mOhm |
| Max. Drainstrom: | 47A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
| Gehäuse: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 34mOhm |
| Max. Drainstrom: | 47A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
| Gehäuse: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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