BUK9M52-40EX
Symbol Micros:
TBUK9m52-40ex
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 10V; 101mOhm; 17,6A; 31W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 101mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 31W |
| Gehäuse: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 40V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BUK9M52-40EX RoHS
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 4+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6123 | 1,1725 | 0,9598 | 0,8770 | 0,8487 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BUK9M52-40EX
Gehäuse: LFPAK33 (SOT1210)
Externes Lager:
4500 stk.
| Anzahl Stück | 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8487 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 101mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 31W |
| Gehäuse: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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