BUK9V13-40HX

Symbol Micros: TBUK9V13-40HX
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Gehäuse: LFPAK56D
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 46W
Gehäuse: LFPAK56D
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BUK9V13-40HX RoHS Gehäuse: LFPAK56D Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,9344 1,4696 1,3663 1,2677 1,2090
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Standard-Verpackung:
5/10
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 46W
Gehäuse: LFPAK56D
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: Surface Mount

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