BUL128D-B   STMicroelectronics

Symbol Micros: TBUL128d-b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor GP BJT NPN 400V 4A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Transistor GP BJT NPN 400V 4A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
Parameter
Verlustleistung: 70W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 32
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BUL128D-B RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5814 0,3484 0,2660 0,2495 0,2323
Standard-Verpackung:
50/100
Verlustleistung: 70W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 32
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN