BUL1603ED

Symbol Micros: TBUL1603ed
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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NPN 3A 650V 80W NPN 3A 650V 80W
Parameter
Verlustleistung: 80W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BUL1603ED RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2384 0,9454 0,7823 0,6854 0,6523
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Standard-Verpackung:
10
Verlustleistung: 80W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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