BUL1603ED

Symbol Micros: TBUL1603ed
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
NPN 3A 650V 80W NPN 3A 650V 80W
Parameter
Verlustleistung: 80W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BUL1603ED RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3567 1,0340 0,8574 0,7514 0,7137
Standard-Verpackung:
10
Verlustleistung: 80W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN