BUT11A

Symbol Micros: TBUT11a

Gehäuse: TO220

NPN 5A 450V 100W NPN 5A 450V 100W

Parameter

Verlustleistung:	100W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	450V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BUT11A RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,4494	1,0157	0,8372	0,7722	0,7630

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BUT11A RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

175 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,4494	1,0157	0,8372	0,7722	0,7630

Verlustleistung:	100W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	450V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN