BUY49S

Symbol Micros: TBUY49S
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 39
Technische Zeichnung
NPN 3A 200V 10W 50MHz NPN 3A 200V 10W 50MHz
Parameter
Verlustleistung: 10W
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO 39
Stromverstärkungsfaktor: 80
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 200V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BUY49S Gehäuse: TO 39 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 5+ 15+
Nettopreis (EUR) 0,9077 0,7055 0,5409 0,4327
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
15
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BUY49S Gehäuse: TO 39 Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 0,9077 0,6608 0,5268 0,4656 0,4327
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 10W
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO 39
Stromverstärkungsfaktor: 80
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 200V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 200°C
Transistor-Typ: NPN