BUZ11-NR4941
Symbol Micros:
TBUZ11
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BUZ11-NR4941 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
6158 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1425 | 0,7601 | 0,5865 | 0,5677 | 0,5443 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BUZ11-NR4941
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
600 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5443 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BUZ11-NR4941
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
9230 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5443 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-12-30
Anzahl Stück: 1400
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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