BUZ11-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TBUZ11 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 25mOhm; 48A; 100W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: BUZ11-CN RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,7382 0,4676 0,3679 0,3299 0,3204
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Standard-Verpackung:
50/300
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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