RDH11N06UB CREATEK

Symbol Micros: TBUZ11 CRE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8mOhm; 80A; 115W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CREATEK
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer: RDH11N06UB RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8095 0,5122 0,4036 0,3682 0,3517
Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CREATEK
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT