BXS1150N10M

Symbol Micros: TBXS1150n10m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: BRIDGELUX
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: BRIDGELUX
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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