C2M0160120D Cree/Wolfspeed

Symbol Micros: TC2M0160120D
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 25V; 400 mOhm; 17,7A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 17,7A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Cree
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CREE Hersteller-Teilenummer: C2M0160120D RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Nettopreis (EUR) 12,5355 11,1899 10,2224 9,3441 8,8909
Standard-Verpackung:
2
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 17,7A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Cree
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT