C3M0065090J Cree/Wolfspeed

Symbol Micros: TC3M0065090J
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK/7
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 90mOhm; 35A; 113W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 113W
Gehäuse: D2PAK/7
Hersteller: Cree
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CREE Hersteller-Teilenummer: C3M0065090J RoHS Gehäuse: D2PAK/7 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Nettopreis (EUR) 17,7842 16,0348 14,7625 13,5908 12,9803
Standard-Verpackung:
2
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 113W
Gehäuse: D2PAK/7
Hersteller: Cree
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT