C3M0120090D Cree/Wolfspeed

Symbol Micros: TC3M0120090D
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 170 mOhm; 23A; 97W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 97W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Cree
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CREE Hersteller-Teilenummer: C3M0120090D RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Nettopreis (EUR) 9,7668 8,7237 7,9800 7,3181 6,8293
Standard-Verpackung:
2
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 97W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Cree
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT