CSD17313Q2

Symbol Micros: TCSD17313q2
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Gehäuse: WSON06(2x2)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17313Q2T
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 17W
Gehäuse: WSON06(2x2)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD17313Q2 RoHS Gehäuse: WSON06(2x2) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6246 0,3960 0,3111 0,2829 0,2711
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 17W
Gehäuse: WSON06(2x2)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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