CSD17576Q5B

Symbol Micros: TCSD17576q5b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: VSON-CLIP08B(6x5)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 2,9 mOhm; 184A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17576Q5BT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,9mOhm
Max. Drainstrom: 184A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: VSON-CLIP08B(6x5)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD17576Q5B RoHS Gehäuse: VSON-CLIP08B(6x5) Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,3398 0,9355 0,7710 0,7169 0,7052
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 2,9mOhm
Max. Drainstrom: 184A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: VSON-CLIP08B(6x5)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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