CSD18503Q5A

Symbol Micros: TCSD18503q5a
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Gehäuse: VSONP08(6x5)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 6,2 mOhm; 121A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18503Q5AT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,2mOhm
Max. Drainstrom: 121A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: VSONP08(6x5)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD18503Q5A RoHS Gehäuse: VSONP08(6x5) Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2747 0,8944 0,7583 0,6949 0,6714
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 6,2mOhm
Max. Drainstrom: 121A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: VSONP08(6x5)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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