CSD18531Q5A

Symbol Micros: TCSD18531q5a
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Gehäuse: VSONP08(6x5)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,8 mOhm; 134A; 156 W; -55 °C ~ 175 °C; CSD18531Q5AT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,8mOhm
Max. Drainstrom: 134A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: VSONP08(6x5)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD18531Q5A RoHS Gehäuse: VSONP08(6x5) Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,5366 1,0758 0,9145 0,8373 0,8092
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 5,8mOhm
Max. Drainstrom: 134A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: VSONP08(6x5)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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