CSD18533KCS

Symbol Micros: TCSD18533kcs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9mOhm; 118A; 192W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 118A
Maximaler Leistungsverlust: 192W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD18533KCS RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
18 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8405 1,4670 1,2551 1,1276 1,0820
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 118A
Maximaler Leistungsverlust: 192W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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