CSD18533Q5A

Symbol Micros: TCSD18533q5a

Gehäuse: VSONP08(6x5)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,5 mOhm; 103A; 116W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18533Q5AT

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8,5mOhm
Max. Drainstrom:	103A
Maximaler Leistungsverlust:	116W
Gehäuse:	VSONP08(6x5)
Hersteller:	Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD18533Q5A RoHS Gehäuse: VSONP08(6x5) Datenblatt

Auf Lager:

32 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,6582	1,2653	1,0478	0,9168	0,8724

Widerstand im offenen Kanal:	8,5mOhm
Max. Drainstrom:	103A
Maximaler Leistungsverlust:	116W
Gehäuse:	VSONP08(6x5)
Hersteller:	Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD