CSD18543Q3A

Symbol Micros: TCSD18543q3a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 15,6 mOhm; 60A; 66W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18543Q3AT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15,6mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD18543Q3A RoHS Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3) Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2232 0,8981 0,7204 0,6174 0,5824
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 15,6mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD