CSD19531Q5A

Symbol Micros: TCSD19531q5a
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Gehäuse: VSONP08(6x5)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7,8 mOhm; 110A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; CSD19531Q5AT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,8mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: VSONP08(6x5)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Texas Instruments Hersteller-Teilenummer: CSD19531Q5A RoHS Gehäuse: VSONP08(6x5) Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,2406 1,7214 1,5296 1,4313 1,4009
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Standard-Verpackung:
5/20
Widerstand im offenen Kanal: 7,8mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: VSONP08(6x5)
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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