CSD19538Q3A
Symbol Micros:
TCSD19538q3a
Gehäuse: VSONP08(3.3x3.3)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 72mOhm; 15A; 23W; -55 °C ~ 150 °C; CSD19538Q3AT
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 72mOhm |
| Max. Drainstrom: | 15A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 23W |
| Gehäuse: | VSONP08(3.3x3.3) |
| Hersteller: | Texas Instruments |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 72mOhm |
| Max. Drainstrom: | 15A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 23W |
| Gehäuse: | VSONP08(3.3x3.3) |
| Hersteller: | Texas Instruments |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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