CXG40N65HSEU CREATEK

Symbol Micros: TCXG40n65hseu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 80A; 160A; 312W; 4,0V~5,5V; 142nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 142nC
Maximale Verlustleistung: 312W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4V ~ 5,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: CREATEK
Hersteller: Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer: CXG40N65HSEU RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,0272 1,6096 1,4277 1,3647 1,3507
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 142nC
Maximale Verlustleistung: 312W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4V ~ 5,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: CREATEK
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT