CXG75N65HS CREATEK

Symbol Micros: TCXG75n65hs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 340nC
Maximale Verlustleistung: 625W
Max. Kollektor-Strom: 150A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 300A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4V ~ 5,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: CREATEK
Hersteller: Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer: CXG75N65HS RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 2,9370 2,5241 2,2815 2,1625 2,0972
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 340nC
Maximale Verlustleistung: 625W
Max. Kollektor-Strom: 150A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 300A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4V ~ 5,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: CREATEK
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT