MJB44H11G

Symbol Micros: TD44H11 d2pak
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
NPN 10A 80V 50W NPN 10A 80V 50W
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Stromverstärkungsfaktor: 60
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJB44H11G RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
340 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,2324 0,8613 0,7306 0,6886 0,6489
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD44H11T4G Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
535000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6489
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD44H11T4G Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
25000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6489
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD44H11T4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
105000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6489
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD44H11T4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
107500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6489
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 2W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Stromverstärkungsfaktor: 60
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN