MJB44H11G
Symbol Micros:
TD44H11 d2pak
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
NPN 10A 80V 50W NPN 10A 80V 50W
Parameter
| Verlustleistung: | 2W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Grenzfrequenz: | 50MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 10A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: MJB44H11G RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
340 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4209 | 0,9928 | 0,8422 | 0,7928 | 0,7481 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: MJD44H11T4
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
65000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7481 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: MJD44H11T4
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
107500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7481 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: MJD44H11T4
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
90000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7481 |
| Verlustleistung: | 2W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Grenzfrequenz: | 50MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 10A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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