DCX114YH-7

Symbol Micros: TDCX114YH-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT563
Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Parameter
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT563
Stromverstärkungsfaktor: 68
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT563
Stromverstärkungsfaktor: 68
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 155°C
Transistor-Typ: NPN/PNP