DDC144EU-7

Symbol Micros: TDDC144eu-7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 30mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DDC144EU-7-F RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1340 0,0633 0,0355 0,0267 0,0243
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 30mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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