DDTC114EUA-7-F

Symbol Micros: TDDTC114EUA-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN