DDTD113EC-7-F
Symbol Micros:
TDDTD113EC-7-F Diodes
Gehäuse: SOT23
Transistor Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Stromverstärkungsfaktor: | 33 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Stromverstärkungsfaktor: | 33 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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