DDTD113ZC-7-F

Symbol Micros: TDDTD113ZC-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 56
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 56
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN