DF80R12W2H3F_B11

Symbol Micros: TDF80R12W2H3F_B11
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IGBT Modules IGBT HighSpeed 3 DF80R12W2H3FB11BPSA1
Parameter
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 80A
Max. Kollektor-Strom: 40A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Hersteller: INFINEON
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: DF80R12W2H3FB11BPSA1 Gehäuse:    
Externes Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 15+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 45,9715
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Standard-Verpackung:
15
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 80A
Max. Kollektor-Strom: 40A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Hersteller: INFINEON
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V

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