DF80R12W2H3F_B11
Symbol Micros:
TDF80R12W2H3F_B11
Gehäuse:
IGBT Modules IGBT HighSpeed 3 DF80R12W2H3FB11BPSA1
Parameter
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
| Hersteller: | INFINEON |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
| Hersteller: | INFINEON |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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