DHG25T120 DONGHAI

Symbol Micros: TDGC25f120m2

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 278W; 4,5V~7,0V; 141nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	141nC
Maximale Verlustleistung:	278W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	75A
Max. Kollektor-Strom:	50A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,5V ~ 7,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Donghai

Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: G25T120D RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,9721	1,5655	1,3986	1,3375	1,3140

Gate-Ladung:	141nC
Maximale Verlustleistung:	278W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	75A
Max. Kollektor-Strom:	50A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,5V ~ 7,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Donghai
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT