DGC40F120M2 DONGHAI

Symbol Micros: TDGC40f120m2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 388W; 4,5V~6,5V; 198nC; -45°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 198nC
Maximale Verlustleistung: 388W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DGC40F120M2 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 240+
Nettopreis (EUR) 3,1582 2,6032 2,3563 2,3093 2,2552
Standard-Verpackung:
30/60
Gate-Ladung: 198nC
Maximale Verlustleistung: 388W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Betriebstemperatur (Bereich): -45°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT