DGC40H65M2 DONGHAI

Symbol Micros: TDGC40f65m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 80A; 160A; 280W; 5,0V~7,0V; 84nC; -45°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 84nC
Maximale Verlustleistung: 280W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DGC40H65M2 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
Nettopreis (EUR) 1,9141 1,4179 1,2086 1,1428 1,1263
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Standard-Verpackung:
30/120
Gate-Ladung: 84nC
Maximale Verlustleistung: 280W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Betriebstemperatur (Bereich): -45°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT

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