DGC75F65M DONGHAI

Symbol Micros: TDGC75f65m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 150A; 300A; 440W; 4,5V~7,0V; 187nC; -45°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 187nC
Maximale Verlustleistung: 440W
Max. Kollektor-Strom: 150A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 300A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DGC75F65M RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 240+
Nettopreis (EUR) 2,5810 2,1279 1,9270 1,8873 1,8429
Standard-Verpackung:
30/60
Gate-Ladung: 187nC
Maximale Verlustleistung: 440W
Max. Kollektor-Strom: 150A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 300A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Betriebstemperatur (Bereich): -45°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT