DHG20T65D DONGHAI
Symbol Micros:
TDGF20f65m
Gehäuse: TO220iso
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 40A; 60A; 96W; 4,5V~7,0V; 59nC; -55°C~150°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 59nC |
| Maximale Verlustleistung: | 96W |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 7,0V |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Donghai |
| Gate-Ladung: | 59nC |
| Maximale Verlustleistung: | 96W |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 7,0V |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Donghai |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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