30H10K DONGHAI

Symbol Micros: TDH30h10k
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 5,5 mOhm; 100A; 60W; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich zu: IRLR8726PBF, IRLR8726TRPBF, IRLR8726TRLPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,5mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: 30H10K RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
148 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 40+ 148+ 592+
Nettopreis (EUR) 0,3273 0,2137 0,1573 0,1356 0,1260
Standard-Verpackung:
148
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: 30H10K RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
182 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 352+ 1760+
Nettopreis (EUR) 0,3016 0,1613 0,1253 0,1150 0,1099
Standard-Verpackung:
352
Widerstand im offenen Kanal: 5,5mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD