60N10 DONGHAI

Symbol Micros: TDH60n10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 17mOhm; 59A; 230W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF3710PBF; IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Max. Drainstrom: 59A
Gehäuse: TO220
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: 60N10 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6642 0,4198 0,3321 0,3021 0,2883
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Max. Drainstrom: 59A
Gehäuse: TO220
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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