9N90 DONGHAI

Symbol Micros: TDH9n90
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3PN
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 70W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich zu: 2SK3878(F);
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO 3PN
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO 3PN
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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