DHD12N10 DONGHAI

Symbol Micros: TDHD12n10

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 110mOhm; 12A; 28W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	28W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Donghai
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DHD12N10 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

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400 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	400+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2878	0,1542	0,1200	0,1095	0,1051

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	28W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Donghai
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD