DHD50N03 DONGHAI
Symbol Micros:
TDHD50n03
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,5 mOhm; 50A; 60W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR8729PBF; IRLR8729TRLPBF; IRLR8729TRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Donghai |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Donghai |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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