D5N50 DONGHAI

Symbol Micros: TDHD5n50
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 1.5Ohm; 5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich zu: IRFR420PBF; IRFR420PBF-BE3; IRFR420TRLPBF; IRFR420TRPBF; IRFR420TRPBF-BE3; IRFR420TRRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: D5N50 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5147 0,3116 0,2400 0,2158 0,2054
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD