DSD400N20N3A

Symbol Micros: TDHDSD400n20n3a
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 42mOhm; 40A; 136W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRFR4620PBF; IRFR4620TRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DSD400N20N3A RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9313 0,6193 0,5114 0,4621 0,4434
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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